Шкляев, Валерий
Институт сильноточной электроники СО РАН
http://www.hcei.tsc.ru
Россия, 634055, Томск, пр. Академический, 2/3
Телефон: +7(382-2) 49-15-44, Факс: +7(382-2) 49-24-10
Доклад
- Фарафонов Д.*, Шкляев В.**
Расчет конфигурации профиля электрода по заданному распределению напряженности электрического поля методом конечных элементов
*ОАО "НПЦ "Полюс"" (Томск), Россия
**Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия