Павский, Кирилл Валерьевич

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Россия, Новосибирск

Доклад

• Рудин С.А.^*, Павский К.В.^**, Ревун А.Л.^*
  Решение задачи оптимизации алгоритмов моделирования гетэроэпитаксиального роста Ge на Si(100)
  ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
  ^**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
  

К списку участников